제품 응용

      실리콘 카바이드 MOSFET과 같은 넓은 밴드 갭 반도체는 기존 실리콘 MOSFET 및 IGBT에 비해 주목할만한 이점을 보여줍니다. 예를 들어 실리콘 카바이드 MOSFET은 더 작고 가벼운 수동 부품을 사용하여 훨씬 더 높은 주파수에서 작동 할 수 있으므로 실리콘 기반 장치보다 스위칭 손실이 낮습니다. 실리콘 카바이드 MOSFET은 또한 더 높은 전기장과 더 나은 열전도율로 인해 더 낮은 온 상태 저항과 더 높은 작동 온도를 나타냅니다. 이러한 속성은 열 설계를 단순화하고 전력 시스템의 전체 비용을 줄일 수 있습니다. 또한 실리콘 카바이드 MOSFET은 더 높은 견고성을 보여 태양 광 발전 시스템, 전기 자동차 충전기 및 전기 자동차 인버터와 같은 열악한 환경 애플리케이션에 매우 이상적입니다.